STP26NM60N

产品类别：                 MOSFET
制造商：                   意法半导体
RoHS：                     符合RoHS 细节
技术：                     硅
安装风格：                 通孔
包装/箱体：                TO-220-3
渠道数量：                 1通道
晶体管极性：                N沟道
Vds - 漏源较击穿电压：      500 V
Id - 连续漏较电流：         12 A
Rds On - 漏源电阻：         320 mOhms
Vgs - 栅源电压：            25 V
Qg - 门费：                 27 nC
小工作温度：              - 55℃
大工作温度：              + 150℃
包装：                      管
渠道模式：                  增强
品牌：                      意法半导体
配置：                      单
下降时间：                  22 ns
Pd - 功耗：                 25 W
上升时间：                  16 ns
系列：                      N通道MDmesh
工厂包装数量：              1000
晶体管类型：                1个N通道
典型关闭延迟时间：          42 ns
典型开启延迟时间：          10.2 ns
单位重量：                  0.011640盎司